三安光电计划160亿元投资半导体项目

 新闻资讯     |      2020-06-21 02:34

三安光电再现大手笔投资。6月16日晚间,三安光电(600703)对外发布公告称,公司计划以现金投资160亿元,在湖南省长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

根据公告披露的信息,三安光电决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额160亿元。

最新进度显示,6月15日,三安光电已与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。根据计划,三安光电将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72个月内实现达产。

对于具体开发建设的产品,三安光电方面表示,主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。对于此次投资,三安光电方面认为:“第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划,符合公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业地位及核心竞争力。”