三星投1800亿西安建芯片基地,对抗武汉国家存储

 新闻资讯     |      2020-08-10 11:35

今天跟大家聊一聊:存储芯片竞争目前也处于白热化阶段,中国目前也已经加大力度投资建设芯片基地,投资额超过了1700亿,而让人意想不到的是,三星竟然投资1800亿在中国建厂,这又将掀起什么样的波澜呢?

目前中国在半导体领域存在的劣势也引起了重视,在今年6月份,武汉国家存储器基地二期也如期开建,投资额超过了1700亿,用于加速半导体存储器行业的布局,还能够稳定国际存储器市场的冲击。而在前一段时间紫光集团攻克了128层堆栈闪存技术,再加上闪存基地的建设消息,很多人都以为中国在闪存芯片领域将迎来高光时刻,但是很多人都忽略了,存储芯片巨头三星,早就已经在中国布局,开始了存储基地的建设,中国在该领域势必有一场硬仗要打。

其实在去年的时候,三星就做出了一个重大决定,在西安高新区建设的存储芯片基地二期工程悄然开建。整个厂区的总投资超过了285亿美元,约合人民币1800亿,这也是三星在海外最大的一笔投资。由于当时这个事件并没有受到媒体的大量报道,所以也没有引起足够的重视,三星之后还会有什么样的计划,我们也不得而知,不过不可否认的是,这仅仅只是三星存储芯片扩张的第一步。

很多人都会有疑问,为什么三星要在中国建设这个存储基地呢,和距离武汉国家存储基地开始建设的时间相差无几,这不是公然要和中国作对吗?而其主要原因就是目前中国在存储芯片需求量上是全球最大的。还有一个原因就是日本限制了韩国半导体领域的相关发展,而中国目前在存储芯片领域正处于起步阶段,在中国建设芯片基地,还能够打击到国内刚有起色的存储芯片厂商。

中国目前在半导体领域的发展也是异常的迅猛,所以转而和中国合作,对他们来说将会实现利益的最大化,三星也想进一步扩大中国产区的规模,早在2012年9月份的时候,该基地的一期工程就已经开建,目前在NAND Flash闪存芯片上,在2014年的时候就已经实现了投产,一个月的产量也达到了12万片,进一步冲击了中国的市场。

目前普遍使用的存储芯片,主要是DRAM内存和NAND闪存芯片,而三星是闪存芯片领域的佼佼者,根据2018年的一份数据显示,三星的市场份额占到了35%,但是在2017年的时候却达到了47.2%,面对如此大的市场下降份额,三星肯定是要做出相应的举措了。而中国的年均闪存消耗量占据了全球的30%以上,三星自然不能放过这块大蛋糕,目前能够研发制造闪存芯片的企业也越来越多,而类似于紫光集团的中国企业也慢慢崛起,很显然三星想要掌控好未来的局势,在中国投资建厂不失为一个明智的选择。

其实在三星在西安建设闪存芯片基地不久之后,国家存储基地在2017年的时候也开始布局,而最终的建设位置选择在了武汉,在今年6月份的时候,二期工程也如期开建,而闪存芯片就是两个基地共同的研发方向。紫光集团目前在该领域也取得了突破性的进展,直接跳过了96层堆栈,越级攻克了128层堆栈,这也是目前世界一流的闪存芯片工艺,未来在闪存芯片领域也将存在很大的竞争。

虽然三星在西安建设存储芯片基地,会对中国存储芯片研发产生一定的影响,但其实真正算起来的话,如果他不在西安投资建设基地,那这种竞争关系也是依然存在的,在经历了美国芯片断供之后,我们应该要认清中国在半导体领域的不足,加强和国外优质企业的合作,这样才能在真正意义上改变目前存在的劣势,对此,你们有什么看法呢?